场效应管 SI4166DY-T1-GE3
型号:SI4166DY-T1-GE3
晶体管极性:N-Channel
汲极源极击穿电压:30V
闸源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:20.*
电阻汲极源极RDS(导通):0.0045 Ohms
配置:Single Quad Drain Triple Source
**工作温度:﹢150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8 Narrow
下降时间:15ns
正向跨导gFS(**值/最小值):65S
最小工作温度:﹣55°C
功率耗散:3W
上升时间:19ns
工厂包装数量:2500PCS/盘
典型关闭延迟时间:35ns
零件号别名:SI4166DY-GE3
本公司长期供应 SI4166DY-T1-GE3
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