TMIM7303-Q1 集成了三个90V 半桥栅极驱动器,适用于三相电机应用中高速功率MOSFET 和IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常**地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的的电源电压而对功率管产生损害,芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压BCD 制程和内置共模噪声**技术使得高边驱动器在高dv/dt 噪声环境能稳定工作,并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间,可以通过对ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式。 |