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英飞凌IGBT模块
英飞凌（INFINEON)IGBT是德国英飞凌公司生产的一种电力半导体器件: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
具体型号有：BSM50GB60DLC,BSM75GB60DLC,BSM100GB60DLC,BSM150GB60DLC,BSM200GB60DLC,BSM300GB60DLC,BSM400GB60DLC,FF300R06KE3,FF400R06KE3,FF60006KE3,FF450R06ME3,FF450R06ME4,FF600R06ME3,FF600R06ME4,BSM50GB120DN2,BSM75GB120DN2,BSM100GB120DN2,BSM150GB120DN2,BSM200GB120DN2,BSM300GB120DN2,BSM50GB120DLC,BSM75GB120DLC,BSM100GB120DLC,BSM150GB120DLC,BSM200GB120DLC,BSM300GB120DLC,FF50R12RT4,FF75R12RT4,FF100R12RT4,FF150R12RT4,FF150R12KT3G,FF200R12KT3,FF300R12KT3,FF400R12KT4,FF150R12KE3G,FF200R12KE3,FF300R12KE3,FF400R12KE3,FF200R12KT4,FF300R12KT4,FF450R12KT4,FF600R12KE4,FF22512ME3,FF300R12ME3,FF450R12ME3,FF600R12ME3,FF225R12ME4,FF300R12ME4,FF450R12ME4,FF600R12ME4,FF600R12IE4,FF650R12IE4,FF900R12IE4,FF1000R12IE4,FF900R12IP4,FF1400R12IP4,FF1000R17IE4,FF1400R17IP4,BSM75GB170DLC,BSM100GB170DLC,BSM150GB170DLC,BSM200GB170DLC,BSM300GB170DLC,BSM75GB170DN2,BSM100GB170DN2,BSM150GB170DN2,BSM200GB170DN2,BSM300GB170DN2,FF100R17KE3,FF150R17KE3,FF200R17KE3,FF300R17KE3,BSM200GA120DN2,BSM300GA120DN2,BSM400GA120DN2,BSM300GA120DLC,BSM400GA120DLC,FZ300R12KE3G,FZ400R12KE3,FZ600R12KE3,FZ900R12KE4,FZ800R12KE3,FZ800R12KF4,FZ900R12KF5,FZ1000R12KF5,FZ1200R12KF4,FZ1200R12KF5,FZ1600R12KF4,FZ1800R12KF4,FZ1200R12HP4,FZ1600R12HP4,FZ1800R12HP4_B9,FZ1800R12HP4,FZ2400R12KE3,FZ3600R12KE3,FZ300R17KE3,FZ400R17KE3,FZ600R17KE3,FZ800R17KE3,FZ1200R17KE3,FZ1600R17KE3,FZ2400R17KE3,FZ2400R17KE3_B2,FZ3600R17KE3,FZ800R16KF4,FZ1000R16KF4,FZ1200R16KF4,FZ1800R16KF4.FF1200R17KE3,FF200R33KF2C,FF400R33KF2C,FZ800R33KF2C,FZ1200R33KF2C,FZ200R65KF2,FZ400R65KF2,FZ600R65KF2.GBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，**在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作[1] 。
1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。
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