|
TCR愈低，表示電阻隨溫度變化愈小，阻值愈穩定，厚膜材料的TCR約為200~300 ppm/k之間(銅約為4000 ppm/k)。由於厚膜膠必須含有一定成份的玻璃，因此TCR的控制相當不容易，目前的厚膜電阻的特性己相當固定，不易有明顯的改進空間。相對地，薄膜電阻是利用半導體的原理，以物理的氣相沈積技術(Physical Vapour Deposition，PVD)，包括濺鍍(sputtering deposition)、蒸鍍(evaporation deposition)等方式，將電阻材料被覆於氧化鋁基板上，因此材料所選擇變得很有彈性，目前常用的NiCr，NiCu，TaN…等材料。由於薄膜製程可獲得之材料沒有混雜其他如玻璃等雜質，因此TCR可控制在50 ppm/k以下，甚至趨近0 ppm/k。除此之外，由於電阻體可利用黃光微影(lithography)的方式製作不同的線路圖案(pattern)，且線徑的控制非常精確，因此，阻值範圍可以做的很廣，且在某些阻值範圍甚至可做到免除雷射切割修整阻值的步驟。 利用半導體類似等級的設備來生產薄膜電阻，在成品特性擁有許多厚膜可不及的優點，但因為成本仍高，因此未能廣泛應用。目前晶片電阻市埸仍由厚膜電阻佔絕大部份。*近由於in-line全自動濺鍍設備成本大幅降低，加上微影製程改良，薄膜電阻成本在1~2年內將降低至接近厚膜電阻的水準。 贴片电阻由于价格便宜，生产方便，能大面积减少PCB面积，减少产品外观尺寸，现在已取代绝大部分传统引线电阻。除一些小厂或不得不使用引线电阻的设计，各种电器上几乎都在使用。目前绝大部分电子产品，以0603、0805器件为主;以手机，PDA为代表的高密度电子产品多使用0201、0402的器件;一些要求稳定和安全的电子产品，如医疗器械、汽车行驶记录仪、税控机则多采用1206、1210等尺寸偏大的电阻。 |
