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TCR愈低，表示電阻隨溫度變化愈小，阻值愈穩定，厚膜材料的TCR約為200~300 ppm/k之間(銅約為4000 ppm/k)。由於厚膜膠必須含有一定成份的玻璃，因此TCR的控制相當不容易，目前的厚膜電阻的特性己相當固定，不易有明顯的改進空間。相對地，薄膜電阻是利用半導體的原理，以物理的氣相沈積技術(Physical Vapour Deposition，PVD)，包括濺鍍(sputtering deposition)、蒸鍍(evaporation deposition)等方式，將電阻材料被覆於氧化鋁基板上，因此材料所選擇變得很有彈性，目前常用的NiCr，NiCu，TaN…等材料。由於薄膜製程可獲得之材料沒有混雜其他如玻璃等雜質，因此TCR可控制在50 ppm/k以下，甚至趨近0 ppm/k。除此之外，由於電阻體可利用黃光微影(lithography)的方式製作不同的線路圖案(pattern)，且線徑的控制非常精確，因此，阻值範圍可以做的很廣，且在某些阻值範圍甚至可做到免除雷射切割修整阻值的步驟。 利用半導體類似等級的設備來生產薄膜電阻，在成品特性擁有許多厚膜可不及的優點，但因為成本仍高，因此未能廣泛應用。目前晶片電阻市埸仍由厚膜電阻佔絕大部份。*近由於in-line全自動濺鍍設備成本大幅降低，加上微影製程改良，薄膜電阻成本在1~2年內將降低至接近厚膜電阻的水準。 CR1206L182JT CR -表示电阻产品型号 182是5%精度阻值表示法：前两位数表示**数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，182=1800Ω=1.8KΩ。 1801是1%阻值表示法：前三位表示**数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1802=18000Ω=18KΩ。 T-表示精度为0.01%、 A -表示精度为0.05%; B -表示精度为0.1%、 C -表示精度为0.025%; D -表示精度为0.5%、 F -表示精度为1%; G -表示精度为2%、 J -表示精度为5%; K -表示精度为10%、 M -表示精度为20%; T -表示编带包装 贴片电阻阻精为常规的是±1%和±5%， |
