半导体业内从材料端分为:**代元素半导体材料,如硅(Si)和锗(Ge);第二代化合物半导体材料:如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;第三代宽禁带材料:如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等。都要经过CMP抛光工艺,用半导体抛光液和抛光垫结合抛磨。
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料,在国内也称为第三代半导体材料。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料,堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。
碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8倍;电子饱和漂移速率为硅的2倍。种种特性意味着碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压,耐大电流的高频大功率的器件。
吉致电子半导体抛光液系列针对电力电子器件及LED用的碳化硅晶片,提供CMP化学机械平坦化配制的碳化硅晶圆抛光液Sic Slurry。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆表面去除率和平坦化性能,提供了非常好的表面光洁度,专为满足Sic晶圆基片C面、单晶硅、多晶硅从研磨到 CMP工艺各阶段的规格而设计。可定制硅晶圆工件 CMP 系统的优化解决方案,以提供较低的成本投入。
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