化学机械抛光(CMP)中，抛光垫大面积接触工件，提高了一致性和抛磨效率，然而在抛光过程中，抛光垫也会不断地磨损和消耗，各种因素都会影响抛光垫性能和使用寿命，其中直接的因素就是温度。
温度是影响抛光质量的重要因素之一。温度会随着抛光的研磨过程而变化。温度升高对CMP抛光有两种影响。温度升高加速了CMP抛光液的化学活性和纳米颗粒在抛光液中的运动，从而加快了材料的去除速率。另一方面，温度升高会软化抛光垫的表面，从而降低材料去除速率。因此，研究化学机械抛光中的温度有助于揭示抛光机理，获得稳定的抛光速率，提高抛光零件的表面质量。·
一方面，温度可以加速化学反应的进程；另一方面，温度的升高会改变抛光垫和抛光液的性质，温度升高抛光垫会变软，使抛光颗粒表面的表面活性剂失效，从而加速颗粒的团聚，造成化学机械抛光的破坏。根据我们的研究和计算，精抛光过程中温度变化很小，大的温升基本上对抛光过程影响不大。至于粗抛光过程中的温升，接触机理更为复杂，有待进一步解决。
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