6MBI450U4-120 IGBT模块 -行业资讯

***************6MBI450U4-120 IGBT模块*******************

诚信经营，质量为首，诚信至上，罗克自动化竭诚为您服务

***************汕头市罗克自动化科技有限公司***************
联系人：李生（销售经理）
手机：15322569805
-----------------------------------------------------------------------------
汕头罗克自动化科技有限公司多年来提供全球各品牌工业自动化产品，数控伺服系统等销售维修服务，技术好，服务佳，价格实在。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
6MBI450U4-120 IGBT模块渠道商介绍，作为电力电子重要大功率主流器材之一，IGBT已经广泛使用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业使用方面，如交通操控、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动操控的变频器。在消费电子方面，IGBT用于家用电器、相机和手机。

IGBT模块是由IGBT与FWD经过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接使用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装修理方便、散热安稳等特色；当前商场上出售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；跟着节能环保等理念的推进，此类产品在商场大将越来越多见。

IGBT的作业原理

IGBT是将强电流、高压使用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的天然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因此造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT**了现有功率MOSFET的这些首要缺陷。尽管**一代功率MOSFET 器材大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技能高出许多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器材相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，首要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技能没有增加这个部分)。其间一个MOSFET驱动两个双极器材。基片的使用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道构成，一起呈现一个电子流，并彻底按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。

IGBT与MOSFET的不同

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。首要长处是热安稳性好、安全作业区大，缺陷是击穿电压低，作业电流小。

IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。击穿电压可达1200V，集电极**饱满电流已超越1500A。由IGBT作为逆变器材的变频器的容量达250kVA以上，作业频率可达20kHz。

IGBT和MOSFET的关联

80年代初期，用于功率MOSFET制造技能的DMOS（双扩散构成的金属-氧化物-半导体）工艺被选用到IGBT中来。在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型规划。后来，经过选用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是跟着硅片上外延的技能前进，以及选用对应给定阻断电压所规划的n+缓冲层而进展的。几年中，这种在选用PT规划的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其规划规则从5微米先进到3微米。

90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是选用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技能实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时刻之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是选用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全作业区（SOA）得到同外表栅结构演化类似的改善。

开展趋势

1、低功率IGBT

IGBT使用规模一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的开展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的使用。

2、U-IGBT

U（沟槽结构）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞内部构成沟槽式栅极。选用沟道结构后，可进一步缩小元胞尺寸，削减沟道电阻，前进电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸最少的产品。现有多家公司出产各种U—IGBT产品，适用低电压驱动、外表贴装的要求。

3、NPT-IGBT

NPT（非穿通型）--IGBT选用薄硅片技能，以离子注进发射区代替高杂乱、高本钱的厚层高阻外延，可下降出产本钱25%左右，耐压越高本钱差越大，在功能上更具有特色，高速、低损耗、正温度系数，无锁定效应，在规划600—1200V的IGBT时，NPT—IGBT可靠性**。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT，并推出低饱满压降DLC型NPT—IGBT，依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列，富士电机、摩托罗拉等在研制之中，NPT型正成为IGBT开展方向。

4、SDB--IGBT

鉴于目前厂家对IGBT的开发非常重视，三星、方便等公司选用SDB（硅片直接键合）技能，在IC出产线上制造第四代高速IGBT及模块系列产品，特色为高速，低饱满压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压规模功能优良，分为UF、RUF两大系统。

5、超快速IGBT

国际整流器IR公司的研制要点在于削减IGBT的拖尾效应，使其能快速关断，研制的超快速IGBT可**限度地削减拖尾效应，关断时刻不超越2000ns，选用特殊高能照耀分层技能，关断时刻可在100ns以下，拖尾更短，要点产品专为电机操控而规划，现有6种型号，另可用在大功率电源变换器中。

6、IGBT/FRD

IR公司在IGBT根底上推出两款结合FRD（快速恢复二极管）的新式器材，IGBT/FRD有用结合，将转换状态的损耗削减20%，选用TO—247外型封装，额定规格为1200V、25、50、75、100A，用于电机驱动和功率转换，以IGBT及FRD为根底的新技能便于器材并联，在多芯片模块中实现更均匀的温度，前进整体可靠性。

7、IGBT功率模块

IGBT功率模块选用IC驱动，各种驱动保护电路，高功能IGBT芯片，新式封装技能，从复合功率模块PIM开展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流开展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技能是大电流IGBT模块为有源器材的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM选用共烧瓷片多芯片模块技能组装PEBB，大大下降电路接线电感，前进系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其间所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT开展热门。

国内商场需求急剧上升曾使得IGBT商场一度被看好。尽管长期来看，IGBT是一个值得等待的商场，可是到目前为止IGBT的核心技能和工业为大多数欧美IDM半导体厂商所掌控，国内企业还有很长的路要走。

资讯来源：汕头罗克自动化