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KCQ200-NE41电源板卡 |
| 时间：2019-08-30 类别： 互联网 |
KCQ200-NE41电源板卡--罗克自动化致力于工控电气设备销售维修服务，欢迎来询【159-1896-2164】！
罗克自动化科技有限公司从事多种品牌工业变频器，逆变器，伺服器，调速器，触摸屏等业务，现已成一家专业的全球性工业自动化备件及零部件的销售维修型企业。 KCQ200-NE41电源板卡渠道商介绍，为提高开关电源的功率密度，电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的MOSFET,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积，从而在单位体积内可实现更高的功率等级。但是随着开关频率的提高，会带来EMI特性的恶化，必须采取**的措施改善电路的EMI特性开关电源的功率MOSFET安装在印制电路板上，由于印制电路板上MOSFET走线和环路存在杂散电容和寄生电感，开关频率越高，这些杂散电容和寄生电感更加不能够忽略。由于MOSFET上的电压和电流在开关时会快速变化，快速变化的电压和电流与这些杂散电容和寄生电感相互作用，会导致电压和电流出现尖峰，使输出噪声明显增加，影响系统EMI特性。 由1-1和1-2式可知，寄生电感和di/dt形成电压尖峰，寄生电容和dv/dt形成电流尖峰。这些快速变化的电流和关联的谐波在其他地方产生耦合的噪声电压，因此影响到开关电源EMI特性。下面以反激式开关拓扑为例，对降低MOSFET的dv/dt和di/dt措施进行介绍。 1 降低MOSFET的dv/dt 我们关注的是MOSFET特性以及影响这些特性的寄生效应： 1-3中，Rg和Cgd越大，dv/dt越低。1-4中，Coss越低，dv/dt越高。在MOSFET选型中，MOSFET的Coss、Ciss、Crss参数特性，影响开关尖峰大小。 从上述分析中可知，我们可以通过提高MOSFET寄生电容Cgd、Cgs、Cds和增大驱动电阻值Rg来降低dv/dt。 可以采取以下**措施： 较高的Cds可以降低dv/dt并降低Vds过冲；但是较高的Cds会影响转换器的效率。可以使用具有较低击穿电压和低导通电阻的MOSFET（这类MOSFET的Cds也较小）。但是如果考虑噪声辐射，则需要使用较大的谐振电容（Cds）。因此提高Cds则需要权衡EMI和效率两者的关系；较高的Cgd实质上增加了MOSFET在米勒平台的持续时间，可以降低dv/dt。但这会导致增加开关损耗，从而降低MOSFET效率并且会提高其温升。提高Cgd，需要驱动电流也会大幅增加，驱动器可能会因瞬间电流过大而烧毁；建议不要轻易添加Cgd；在栅极处添加外部Cgs电容，但很少使用此方法，因为增加栅极电阻Rg相对更简单。效果是相同的。 资讯来源：汕头罗克自动化 |
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