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击穿的测验状况常常被人疏忽,例如在负载瞬态进程中——尤其是每逢负载已免除或俄然削减时——操控器会不断发生窄频脉冲。
现在大部分高电流体系都选用多相位规划,运用驱动器芯片驱动 MOSFET。但选用驱动器芯片会令击穿问题更为杂乱,尤其是当负载处于瞬态进程之中。例如,窄频驱动脉冲的搅扰,再加上驱动器呈现传达推迟,都会导致击穿状况的呈现。
涡流损耗会令磁心受热,致使功率也会受影响而跌落。发生涡流损耗的原因是以铁磁物质形成的物体受不一同间的不同磁通影响令物体内发生循环不息的电流。咱们只需选用一片片的铁磁薄片而非实心铁磁作为磁心的物料,便可减低涡流损耗。
例如,以磁带绕成的 Metglas 就是这样的一种磁心。其他的铁磁产品供给商如 Magnetics 也出产以磁带绕成的磁心。由于吸收EMS的电子元器材的体积都很大,所以高等级的EMC搅扰防护只能经过外围电路规划来满意体系的EMS要求。
供电计划介绍:如上图3所示左边为主控体系供电。其间MCU及USB口的供电均选用自搭降压计划降压后供给;上下行通讯模块的供电则直接由AC-DC德国SIEMENS西门子611伺服电源LO26-22D3612-04的12V输出电压供给。框图右侧为通讯接口供电。
MBUS总线的供电直接由AC-DC德国SIEMENS西门子611伺服电源LO26-22D3612-04的36V输出供给;12V对外输出供电则经过自搭降压计划降压后对外输出;485通讯的供电也经过36V自搭降压后供给。
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资讯来源:罗克自动化
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