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主营产品：AB，ABB，力士乐，GE，本特利，福克斯波罗，英维斯，西屋，艾默生，横河

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ABB机器人单/双通道卡：DSQC658或DSQC659
SEW网关：UFP11A-00 PROFiBUS DP-V1
HONEYWELL模块：TK-FTEB01或CC-PDOB01
AB模块：1756-M08SE或1756-CNBR
施耐德模块：140ARI03010或140CPU65150
以上现货----清仓处理

ABB张力测量系统常用型号型号有：
PFTL101A、PFTL101AE、PFTL101AER、PFTL101B、PFTL201、PFTL301E、PFCL201C/CD 、PFCL201CE、PFEL111、PFEL112、PFEL113、PFEA111、 PFCL201C、PFTL101B、PFTL101BE、PFTL101BER、PFTL201C、PFCL301E、PFTL301E、PFRL101D、PFRL101C、PFRL101B、PFRL101A、PFEA113、PFEA112、PFEA111、PFTL201CE、PFTL201D、PFTL201DE、PFVL141V、PFVL141C、PFVL141R、PXAH401、PFVA401、PFBL141B/C、PXUB201、PFEA101， PFVL142V、PFVL142C、PFVL142R。
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具体型号有：
PFTL101A、PFTL101AE、PFTL101AER、PFTL101B、PFTL201、PFTL301E、PFCL201C/CD、PFCL201CE、PFEL111、PFEL112、PFEL113、PFEA111、PFCL201C、PFTL101B、PFTL101BE、PFTL101BER、PFTL201C、PFCL301E、PFTL301E、PFRL101D、PFRL101C、PFRL101B、PFRL101A、PFEA113、PFEA112、PFEA111、PFTL201CE、PFTL201D、PFTL201DE、PFVL141V、PFVL141C、PFVL141R、PXAH401、PFVA401、PFBL141B/C、PFEA101、PFVL142V、PFVL142C、PFVL142R。
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本公司可协助选型：
具体规格根据现场测量物理量选型，张力测量仪表分为IP20和IP65两种防护等级，根据安装环境进行选型，型号有：PFEL111 PFEL112 PFEL113.
PFEL111:无DP接口，能连接2个压头
PFEL112：带DP接口，能连接2个压头
PFEL113：带DP接口，能连接4个压头
1、型号：PFEA111
描述：常规控制单元，能接2个压头，根据应用环境的不同，有IP20和IP65的防护等级，PLC接口信号为0--10V DC ， 各种校准和量程参数可以现场设定。
2、型号：PFCL201C
描述：枕块式张力计垂直测压元件,采用圆柱形插头连接；测力范围：5~50KN;
3、型号：PFCL201CD/CE
描述：枕块式张力计垂直测压元件,采用电缆密封接头/带保护软管的固定电缆连接,测力范围：5~50KN;
4、型号：PFTL101A
描述：枕块式张力计水平测压元件,圆柱插头连接,测力范围：0.2~2KN.
5、型号：PFTL101AE
描述：枕块式张力计水平测压元件,固定电缆连接,测力范围：0.2~2KN.
6、型号：PFTL101AER
描述：耐酸型枕块式张力计水平测压元件,固定电缆连接,测力范围：0.2~2KN. 用于造纸湿端张力测量，防护等级可达IP66/67
7、型号：PFTL101B
描述：枕块式张力计水平测压元件,圆柱插头连接,测力范围：2~20KN.
8、型号：PFTL101BE
描述：枕块式张力计水平测压元件,固定电缆连接,测力范围：2~20KN.
9、型号：PFTL101BER
描述：耐酸型枕块式张力计水平测压元件,固定电缆连接,测力范围：2~20KN. 用于造纸湿端张力测量，防护等级可达IP66/67
10、型号：PFTL201C
描述：枕块式张力计水平测压元件,圆柱插头连接,测力范围：10~50KN.
11、型号：PFCL301E
描述：迷你型纸幅张力垂直测压元件,测压范围:0.2~1KN



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吉致电子--不锈钢工件的研磨抛光工序
不锈钢抛光液CMP抛光液，主要应用于不锈钢工件表面研磨抛光工艺，不锈钢抛光液一般有去粗、粗抛、中抛、精抛镜面四道流程。 去粗工艺不锈钢研磨液用较粗磨料配方液先去除表面刀痕、毛刺，切割线等痕迹，研磨去除部分余料； 粗抛工艺研磨移除划痕和刀痕，提高表面平整度； 中抛工艺进阶抛光划痕、麻点，抛光雾面，不锈钢中抛液提高不锈钢工件表面亮度。 精抛镜面抛光用不锈钢精抛液精细化抛磨，保持工件表面的亮度升级亮度反光度，不...

陶瓷覆铜板DPC/DBC研磨抛光液工艺
陶瓷覆铜板的制作工艺主要是DPC工艺和DBC工艺，DPC产品具备线路精准度高与表面平整度高的特性,非常适用于覆晶/共晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显着提升了散热效率,是最适合高功率、小尺寸发展需求的陶瓷散热基板。陶瓷覆铜基板需要用到CMP抛光工艺，利用抛光液和抛光垫达到表面光洁度或镜面效果。 CMP化学机械抛光液对陶瓷覆铜基板的抛光研磨，可以做到粗抛、中抛、精抛效果。粗抛工艺，陶瓷覆铜板表面去除率高，快速抛磨。精抛工艺...

吉致电子Slurry抛光浆料--阻挡层抛光液
目前，超大规模集成电路芯片的集成度已经达到了数十亿个元件，特征尺寸已经达到了纳米级，这就需要微电子技术中的数百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质等必须通过CMP化学机械技术，抛光液和抛光垫磨抛达到平坦化。VLSI布线正从传统的铝布线工艺向铜布线工艺转变。 铜材质具有快速迁移的特性，容易通过介质层扩散，导致相邻铜线之间漏电，进而导致器件特性失效。一般在沉积铜之前，在介质衬底上沉积扩散阻挡层，工业上已经广泛使...

半导体抛光液---半导体材料有哪些？
半导体业内从材料端分为**代元素半导体材料，如硅Si和锗Ge；第二代化合物半导体材料如砷化镓GaAs、磷化铟InP等；第三代宽禁带材料如碳化硅SiC、氮化镓GaN、氮化铝ALN、氧化镓Ga2O3等。都要经过CMP抛光工艺，用半导体抛光液和抛光垫结合抛磨。 碳化硅SiC和氮化镓GaN、氮化铝ALN、氧化镓Ga2O3等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料...

纳米氧化硅抛光液的特点
纳米二氧化硅抛光液由高纯纳米氧化硅SiO2等多种复合材料配置而成，通过电解法或离子交换法制备成纳米抛光液，硅抛光液磨料分散性好，具有高强度、高附着力、成膜性好、高渗透、高耐候性、高耐磨性等特点，是一种性能优良的CMP抛光材料。广泛应用于金属或半导体电子封装抛光工艺中。 吉致电子硅抛光液，CMP抛光slurry应用范围 1、可用于微晶玻璃的表面抛光加工中。 2、用于硅片的粗抛和精抛以及IC加工过程，适用于大规模集成电路多层...